改進(jìn)硅負(fù)極充電機充電鋰離子蓄電池存儲性能的低溫生長全碳石墨炔
2018-6-8 10:17:55??????點擊：
Si負(fù)極材料是充電機充電鋰離子蓄電池中，理論儲鋰能量較高的充電機充電鋰離子蓄電池負(fù)極材料之一，其理論容量可達(dá)到4000 mAh g-1以上。但是，Si負(fù)極材料儲鋰時，容易發(fā)生體積膨脹，導(dǎo)致電極粉化，電池容量急劇下降。目前，對于減少Si負(fù)極的體積膨脹對電極材料的影響，提高Si負(fù)極復(fù)合材料中的空隙體積，緩解容量急劇降低，提高Si負(fù)極電池的循環(huán)壽命等問題，是該領(lǐng)域亟待解決的重大問題。
【成果簡介】
碳材料對于改進(jìn)高能量密度硅負(fù)極關(guān)鍵性能具有重要作用。近日，中國科學(xué)院化學(xué)研究所李玉良院士研究團(tuán)隊結(jié)合石墨炔天然的低溫生長優(yōu)勢，在室溫下，實現(xiàn)了在硅負(fù)極上原位生長超薄的二維全碳石墨炔保護(hù)層。這種在硅負(fù)極上原位構(gòu)筑全碳材料保護(hù)層的方式是其他碳材料所不能實現(xiàn)的，具有重要的基礎(chǔ)和應(yīng)用價值。研究人員直接在硅負(fù)極上構(gòu)筑了具有優(yōu)異機械性能和電導(dǎo)性能的三維石墨炔全碳網(wǎng)絡(luò)，電極組件之間形成了牢固的全碳界面接觸。該方法高效地抑制了循環(huán)過程中硅負(fù)極巨大體積變化導(dǎo)致的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)和電極界面的破壞，充分的發(fā)揮了硅負(fù)極的高比容量優(yōu)勢，在0.2 A g-1時比容量達(dá)到4122 mAh g-1，面積比容量高達(dá)4.72 mAh cm-2。在2 A g-1下，循環(huán)1450次后，比容量仍然能夠保持1503 mAh g-1。此外，這種策略在解決其他高能量密度負(fù)極的問題時，顯示出巨大的應(yīng)用潛力。相關(guān)成果以“Low-Temperature Growth of All-Carbon Graphdiyne on a Silicon Anode for High-Performance Lithium-Ion Batteries”為題發(fā)表在Advanced Materials上。
【圖文導(dǎo)讀】
圖 1 Si負(fù)極上GDY的表征及合成示意圖
（a）在Si負(fù)極上，原位編織超薄石墨炔納米片導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的過程示意圖；
（b）超薄石墨炔，SiNPs和CuNWs之間相互作用的結(jié)構(gòu)示意圖；
（c）石墨炔的XRD譜圖；
（d）石墨炔的拉曼譜圖；
（e）石墨炔的XPS譜圖。
圖 2 原位編制網(wǎng)狀石墨炔前后的SEM對比圖
（a，b）FPCuSi編織石墨炔前的SEM圖像；
（c，d）FPCuSi編織石墨炔后的SEM圖像；
（e，f）FPCuSi編織石墨炔后的截面SEM圖像。
圖 3 石墨炔納米片和SiNP之間的結(jié)構(gòu)表征圖
（a）石墨炔負(fù)載Si的TEM圖像；
（b）超薄石墨炔納米片的高分辨TEM圖像；
（c）SiNP上的無縫隙涂層TEM圖像；
（d）石墨炔納米片和SiNP連接處的高分辨TEM圖像；
（e）兩個SiNP界面處的高分辨TEM圖像；
（f）石墨炔納米片和CuNWs連接處的高分辨TEM圖像；
（g）是（a）圖像中的元素分布圖。
圖 4 SiNPs的電化學(xué)表征圖
（a）在0.3mVs-1下，SiNPs的前4圈CV曲線圖；
（b）不同電流密度下，SiNPs的充放電曲線圖；
（c）SiNPs的倍率性能圖；
（d）在2 A g-1下，SiNPs的循環(huán)壽命圖；
（e）在5 A g-1下，SiNPs的循環(huán)壽命圖；
（f）在1 A g-1和4 A g-1下，SiNPs的循環(huán)壽命圖；
（g）在2 A g-1循環(huán)200圈前后的阻抗圖；
（h）不同Si負(fù)極的性能比較圖。
圖 5 CV測試前后，SiNPs的結(jié)構(gòu)演變圖
（a）在2 A g-1下，循環(huán)100圈，SiNPs的表面SEM圖像；
（b）在2 A g-1下，循環(huán)100圈，SiNPs的截面SEM圖像；
（c）在2 A g-1下，循環(huán)100圈，去除SEI膜后，SiNPs的SEM圖像；
（d）循環(huán)1450圈，去除SEI膜后，SiNPs的SEM圖像；
（e）循環(huán)1450圈，去除SEI膜后，SiNPs的TEM圖像；
（f）循環(huán)1450圈，去除SEI膜后，SiNPs的高分辨TEM圖像；
（g）是（e）圖中的元素分布圖；
（h-j）石墨炔修飾Si負(fù)極的機理示意圖。
圖 6 GDY納米片和SiNPs之間的連接示意圖
（a）吸附能變化和石墨炔納米片與Si聚體幾何單元的優(yōu)化圖；
（b）Si和石墨炔的俯視圖；
（c）Si和石墨炔的左視圖。
【小結(jié)】
本文采用原位、超低溫方法，在Si負(fù)極上構(gòu)建三維石墨炔導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。研究了循環(huán)過程中，硅負(fù)極的界面接觸和體積變化。石墨炔網(wǎng)絡(luò)提高了Si負(fù)極的機械性能和導(dǎo)電性。在0.2 A g-1時，其比容量高達(dá)4122 mAh g-1。在2 A g-1下，循環(huán)1450后能維持1503 mAh g-1，循環(huán)中表現(xiàn)出優(yōu)異的可逆性。這種策略對于提高錫，鍺和氧化的能量密度具有很高的借鑒意義。
【成果簡介】
碳材料對于改進(jìn)高能量密度硅負(fù)極關(guān)鍵性能具有重要作用。近日，中國科學(xué)院化學(xué)研究所李玉良院士研究團(tuán)隊結(jié)合石墨炔天然的低溫生長優(yōu)勢，在室溫下，實現(xiàn)了在硅負(fù)極上原位生長超薄的二維全碳石墨炔保護(hù)層。這種在硅負(fù)極上原位構(gòu)筑全碳材料保護(hù)層的方式是其他碳材料所不能實現(xiàn)的，具有重要的基礎(chǔ)和應(yīng)用價值。研究人員直接在硅負(fù)極上構(gòu)筑了具有優(yōu)異機械性能和電導(dǎo)性能的三維石墨炔全碳網(wǎng)絡(luò)，電極組件之間形成了牢固的全碳界面接觸。該方法高效地抑制了循環(huán)過程中硅負(fù)極巨大體積變化導(dǎo)致的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)和電極界面的破壞，充分的發(fā)揮了硅負(fù)極的高比容量優(yōu)勢，在0.2 A g-1時比容量達(dá)到4122 mAh g-1，面積比容量高達(dá)4.72 mAh cm-2。在2 A g-1下，循環(huán)1450次后，比容量仍然能夠保持1503 mAh g-1。此外，這種策略在解決其他高能量密度負(fù)極的問題時，顯示出巨大的應(yīng)用潛力。相關(guān)成果以“Low-Temperature Growth of All-Carbon Graphdiyne on a Silicon Anode for High-Performance Lithium-Ion Batteries”為題發(fā)表在Advanced Materials上。
【圖文導(dǎo)讀】
圖 1 Si負(fù)極上GDY的表征及合成示意圖
（a）在Si負(fù)極上，原位編織超薄石墨炔納米片導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的過程示意圖；
（b）超薄石墨炔，SiNPs和CuNWs之間相互作用的結(jié)構(gòu)示意圖；
（c）石墨炔的XRD譜圖；
（d）石墨炔的拉曼譜圖；
（e）石墨炔的XPS譜圖。
圖 2 原位編制網(wǎng)狀石墨炔前后的SEM對比圖
（a，b）FPCuSi編織石墨炔前的SEM圖像；
（c，d）FPCuSi編織石墨炔后的SEM圖像；
（e，f）FPCuSi編織石墨炔后的截面SEM圖像。
圖 3 石墨炔納米片和SiNP之間的結(jié)構(gòu)表征圖
（a）石墨炔負(fù)載Si的TEM圖像；
（b）超薄石墨炔納米片的高分辨TEM圖像；
（c）SiNP上的無縫隙涂層TEM圖像；
（d）石墨炔納米片和SiNP連接處的高分辨TEM圖像；
（e）兩個SiNP界面處的高分辨TEM圖像；
（f）石墨炔納米片和CuNWs連接處的高分辨TEM圖像；
（g）是（a）圖像中的元素分布圖。
圖 4 SiNPs的電化學(xué)表征圖
（a）在0.3mVs-1下，SiNPs的前4圈CV曲線圖；
（b）不同電流密度下，SiNPs的充放電曲線圖；
（c）SiNPs的倍率性能圖；
（d）在2 A g-1下，SiNPs的循環(huán)壽命圖；
（e）在5 A g-1下，SiNPs的循環(huán)壽命圖；
（f）在1 A g-1和4 A g-1下，SiNPs的循環(huán)壽命圖；
（g）在2 A g-1循環(huán)200圈前后的阻抗圖；
（h）不同Si負(fù)極的性能比較圖。
圖 5 CV測試前后，SiNPs的結(jié)構(gòu)演變圖
（a）在2 A g-1下，循環(huán)100圈，SiNPs的表面SEM圖像；
（b）在2 A g-1下，循環(huán)100圈，SiNPs的截面SEM圖像；
（c）在2 A g-1下，循環(huán)100圈，去除SEI膜后，SiNPs的SEM圖像；
（d）循環(huán)1450圈，去除SEI膜后，SiNPs的SEM圖像；
（e）循環(huán)1450圈，去除SEI膜后，SiNPs的TEM圖像；
（f）循環(huán)1450圈，去除SEI膜后，SiNPs的高分辨TEM圖像；
（g）是（e）圖中的元素分布圖；
（h-j）石墨炔修飾Si負(fù)極的機理示意圖。
圖 6 GDY納米片和SiNPs之間的連接示意圖
（a）吸附能變化和石墨炔納米片與Si聚體幾何單元的優(yōu)化圖；
（b）Si和石墨炔的俯視圖；
（c）Si和石墨炔的左視圖。
【小結(jié)】
本文采用原位、超低溫方法，在Si負(fù)極上構(gòu)建三維石墨炔導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。研究了循環(huán)過程中，硅負(fù)極的界面接觸和體積變化。石墨炔網(wǎng)絡(luò)提高了Si負(fù)極的機械性能和導(dǎo)電性。在0.2 A g-1時，其比容量高達(dá)4122 mAh g-1。在2 A g-1下，循環(huán)1450后能維持1503 mAh g-1，循環(huán)中表現(xiàn)出優(yōu)異的可逆性。這種策略對于提高錫，鍺和氧化的能量密度具有很高的借鑒意義。
- 上一篇：充電機充電蓄電池基本功能與在線監(jiān)測 2018/6/8
- 下一篇：增強充電機充電固態(tài)蓄電池的界面動力學(xué)的離子導(dǎo)體層減弱正極-固 2018/6/8
